🔥 نقشه راه سامسونگ برای تولید تراشههای 1 نانومتری؛ فناوری High-NA EUV برگ برنده کرهایها🔬 سامسونگ…
انتشار: 2026/08/12 11:44 UTCدریافت: 2026/08/12 14:40 UTCآخرین مشاهده: 2026/08/12 14:40 UTC
🔥 نقشه راه سامسونگ برای تولید تراشههای 1 نانومتری؛ فناوری High-NA EUV برگ برنده کرهایها🔬 سامسونگ نقشه راه تولید تراشههای نسل آینده خود را بهروزرسانی کرد؛ این شرکت قصد دارد در مسیر رسیدن به تراشههای 1 نانومتری از فناوری High-NA EUV استفاده کند.طبق برنامه فعلی، سامسونگ ابتدا فرایندهای 2 نانومتری و 1.4 نانومتری را با لیتوگرافی EUV معمولی تولید میکند و ورود گسترده High-NA EUV به خطوط تولید از حوالی سال 2030 آغاز خواهد شد.⚙️ فناوری High-NA EUV با افزایش دقت لیتوگرافی، امکان ساخت ترانزیستورهای کوچکتر و پیشرفتهتر را فراهم میکند، اما هزینه بسیار بالای تجهیزات و آماده نبودن کامل زنجیره تأمین باعث شده سامسونگ فعلاً استفاده گسترده از آن را به نسلهای بعدی موکول کند.🚀 به نظر میرسد کرهایها برای رقابت با شرکتهایی مانند TSMC، روی ترکیبی از فناوریهای فعلی و High-NA EUV حساب باز کردهاند تا تولید تراشههای زیر 2 نانومتر و در نهایت 1 نانومتری را ممکن کنند. 🌐در شهر سخت افزار بخوانید🆔@ShahrSakhtAfzar





